RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2971
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link