RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2426
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link