RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3094
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link