RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston KHX2400C15/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3094
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link