RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston KHX2400C15/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3094
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link