RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3094
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link