RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3083
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link