RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3083
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link