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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2687
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