RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
51
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2687
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link