RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
51
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
51
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2687
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link