RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
38
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3626
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link