RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
38
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3626
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link