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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2297
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
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Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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