RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2297
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link