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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
15.5
10.4
写入速度,GB/s
12.0
7.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2297
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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KingSpec KingSpec 16GB
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
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