RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.9
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3805
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link