RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
38
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
21.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3805
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link