RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3779
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link