RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3779
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link