RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3779
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link