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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
3857
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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