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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
3857
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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