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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
5300
1900
Rund um 2.79% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
63
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
1900
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2387
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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