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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
5300
1900
En 2.79% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
63
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
1900
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2387
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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