RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
5300
1900
En 2.79% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
63
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
45
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
1900
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2387
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link