RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
65
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2041
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link