RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
65
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
65
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2041
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link