RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
65
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
65
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2041
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link