RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1933
2698
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link