RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
45
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2583
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link