RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3562
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link