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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3562
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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