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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
19.1
写入速度,GB/s
7.8
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3562
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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