RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3318
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link