RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2660
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link