RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
45
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3593
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link