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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3593
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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