RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2445
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link