RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
45
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2445
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link