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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 45
    En -18% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1992 left arrow 1965

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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