Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    38 left arrow 45
    Wokół strony -18% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    45 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 12.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1992 left arrow 1965
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania