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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1965
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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