RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2445
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link