RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2445
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link