RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
45
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2254
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link