RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
45
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2254
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link