RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
45
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
40
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2254
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link