RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
45
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
45
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
1919
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link