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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1919
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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