RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2163
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link