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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
7.7
写入速度,GB/s
8.0
8.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2163
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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