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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.2
15.3
写入速度,GB/s
8.6
11.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2962
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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